めっき面解析例（非晶質Ni-P合金めっき上の銅めっき）

めっきの核発生へのめっき条件の影響

　めっき皮膜の核発生は、電流密度（過電圧）のパラメータで表すことができます。電流密度が増加する場合には、表面の核数が著しく増加し、微細化していきます。また、核発生は温度が増加すると、核数は減少し、粗大化していきます（文献等を参照ください）。

　成膜過程では、こららのめっき条件や液組成によって変化します。この成長過程の差によってめっき皮膜物性は影響を受けます。

電流密度と核数の関係

温度と核数の関係

2.8

2.9

3.1

3.2

3.3

3.4

3.5

3.6

1x10

1/T (゜K

-1

) X10

核数 (N/cm

)