機械金属部

表面分析は、電子、イオン、電磁波などを固体に照射して、表面から発生する様々な情報を解析することによって行われています。下図は、各プローブによる様々な情報の関係、分析方法の関係を模式図で示したもので、発生する情報の広がりは、用いたプローブと検出因子によって決定されます。このため、深さ方向、横側の解像度は、装置によって異なります。

電子ﾌﾟﾛｰﾌﾞ

走査型電子顕微鏡（SEM)

透化型電子顕微鏡(TEM),分析電子顕微鏡(AEM)

X線ﾏｲｸﾛｱﾅﾘｼｽ(EPMA)

ｵｰｼﾞｪ電子分光法(AES)、走査型ｵｰｼﾞｪ電子顕微鏡(SAM）

低速電子回折法(LEED)

高速反射電子回折法(RHEED)

電子ｴﾈﾙｷﾞｰ損失分光(EELS)

出現電圧ｽﾍﾟｸﾄﾙ(APS)

組成：AES,EPMA,AEM

原子配列:LEED,RHEED

深さ分析：AES

表面形態:SEM

ｲｵﾝﾌﾟﾛｰﾌﾞ

粒子線励起X線分析法(PIXE)

ｲｵﾝ励起発光分析法(SCANIIR)

二次ｲｵﾝ質量分析法(SIMS)

ｲｵﾝ散乱分析法(ISS)

ラザﾌｫｰﾄﾞ後方散乱分析法(RBS)

グロー放電発光分析法(GDS)

組成：ISS,SIMS,PIXE,RBS

深さ分析：SIMS,SCANIIR

電子状態:PIXE

光子ﾌﾟﾛｰﾌﾞ

ﾌｰﾘｴ変換赤外分析法(FT-IR)

ﾗﾏﾝ分析法(Raman)

ﾚｰｻﾞﾏｲｸﾛﾌﾟﾛｰﾌﾞ質量分析法(LAMMA)

X線光電子分光法(ESCA,XPS)

X線回折法(XRD)

蛍光X線分析法(XRF)

組成：XRF,ESCA

化合物：FT-IR,Ramman,LAMMA,LMA,XRD

化学状態:ESCA,UPS

深さ分析：ESCA

last updated 26th Feb. 1998

Tsutomu Morikawa

Technology Research Institute of Osaka Prefecture